Gallium Arsenide GaAs

Beskrivelse

Gallium ArsenidGaAs er en direkte båndgab sammensat halvleder af gruppe III-V syntetiseret af mindst 6N 7N højrent gallium og arsen element, og dyrket krystal ved VGF eller LEC proces fra høj renhed polykrystallinsk gallium arsenid, grå farve udseende, kubiske krystaller med zink-blanding struktur.Med doping af kulstof, silicium, tellur eller zink for at opnå henholdsvis n-type eller p-type og semi-isolerende ledningsevne, kan en cylindrisk InAs-krystal skæres i skiver og fremstilles til emne og wafer i skåret, ætset, poleret eller episk. -klar til MBE eller MOCVD epitaksial vækst.Gallium Arsenid wafer bruges hovedsageligt til at fremstille elektroniske enheder såsom infrarøde lysemitterende dioder, laserdioder, optiske vinduer, felteffekttransistorer FET'er, lineære digitale IC'er og solceller.GaAs-komponenter er nyttige i ultrahøje radiofrekvenser og hurtige elektroniske koblingsapplikationer, svage signalforstærkningsapplikationer.Desuden er Gallium Arsenide-substrat et ideelt materiale til fremstilling af RF-komponenter, mikrobølgefrekvens og monolitiske IC'er og LED-enheder i optiske kommunikations- og kontrolsystemer for dets mættende hallmobilitet, høje effekt- og temperaturstabilitet.

Levering

Gallium Arsenide GaAs hos Western Minmetals (SC) Corporation kan leveres som polykrystallinsk klump eller enkeltkrystal wafer i skåret, ætset, poleret eller epi-klare wafers i en størrelse på 2" 3" 4" og 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) diameter, med p-type, n-type eller halvisolerende ledningsevne og <111> eller <100> orientering.Den tilpassede specifikation er for den perfekte løsning til vores kunder over hele verden.

Spørg nu

detaljer

Tags

Teknisk specifikation

Gallium Arsenid

GaAs

Gallium Arsenide GaAswafere bruges hovedsageligt til at fremstille elektroniske enheder såsom infrarøde lysdioder, laserdioder, optiske vinduer, felteffekttransistorer FET'er, lineære digitale IC'er og solceller.GaAs-komponenter er nyttige i ultrahøje radiofrekvenser og hurtige elektroniske koblingsapplikationer, svage signalforstærkningsapplikationer.Desuden er Gallium Arsenide-substrat et ideelt materiale til fremstilling af RF-komponenter, mikrobølgefrekvens og monolitiske IC'er og LED-enheder i optiske kommunikations- og kontrolsystemer for dets mættende hallmobilitet, høje effekt- og temperaturstabilitet.

Ingen.	genstande	Standard Specifikation
1	Størrelse	2"	3"	4"	6"
2	Diameter mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Vækstmetode	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Konduktivitetstype	N-Type/Si eller Te-dopet, P-Type/Zn-dopet, Semi-isolerende/U-dopet
5	Orientering	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Tykkelse μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientering Flad mm	17±1	22±1	32±1	Hak
8	Identifikation Flad mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Resistivitet Ω-cm	(1-9)E(-3) for p-type eller n-type, (1-10)E8 for halvisolerende
10	Mobilitet cm2/vs	50-120 for p-type, (1-2,5)E3 for n-type, ≥4000 for halvisolerende
11	Carrier Koncentration cm-3	(5-50)E18 for p-type, (0,8-4)E18 for n-type
12	TTV μm maks	10	10	10	10
13	Bue μm max	30	30	30	30
14	Warp μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Overfladebehandling	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Pakning	Enkelt waferbeholder forseglet i kompositpose af aluminium.
18	Bemærkninger	GaAs wafer af mekanisk kvalitet er også tilgængelig efter anmodning.

Lineær formel	GaAs
Molekylær vægt	144,64
Krystal struktur	Zink blanding
Udseende	Grå krystallinsk fast stof
Smeltepunkt	1400°C, 2550°F
Kogepunkt	N/A
Tæthed ved 300K	5,32 g/cm³
Energigab	1.424 eV
Indre resistivitet	3,3E8 Ω-cm
CAS nummer	1303-00-0
EF-nummer	215-114-8

Gallium Arsenide GaAshos Western Minmetals (SC) Corporation kan leveres som polykrystallinsk klump eller enkeltkrystal wafer i as-cut, ætsede, polerede eller epi-klare wafers i størrelserne 2" 3" 4" og 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm) , 150 mm) diameter, med p-type, n-type eller halvisolerende ledningsevne og <111> eller <100> orientering.Den tilpassede specifikation er for den perfekte løsning til vores kunder over hele verden.