Indium Antimonide InSb

Beskrivelse

Indium Antimonide InSb, en halvleder af gruppe III-V krystallinske forbindelser med zink-blandet gitterstruktur, syntetiseres af 6N 7N højrent indium og antimon-elementer og dyrkes enkeltkrystal ved VGF-metoden eller Liquid Encapsulated Czochralski LEC-metoden fra multiple zone raffineret polykrystallinske ingots, som kan skæres i skiver og fremstilles til wafer og blok bagefter.InSb er en direkte overgangshalvleder med et smalt båndgab på 0,17 eV ved stuetemperatur, høj følsomhed over for 1-5 μm bølgelængde og ultrahøj hallmobilitet.Indium Antimonide InSb n-type, p-type og semi-isolerende ledningsevne hos Western Minmetals (SC) Corporation kan tilbydes i størrelserne 1″ 2″ 3″ og 4” (30 mm, 50 mm, 75 mm, 100 mm) diameter, orientering < 111> eller <100>, og med wafer overfladefinish som skåret, lappet, ætset og poleret.Indium Antimonide InSb mål på Dia.50-80 mm med udopet n-type er også tilgængelig.I mellemtiden er polykrystallinsk indiumantimonid InSb (multikrystal InSb) med størrelsen på uregelmæssig klump eller blank (15-40) x (40-80) mm og rund stang på D30-80 mm også tilpasset efter anmodning til den perfekte løsning.

Ansøgning

Indium Antimonide InSb er et ideelt substrat til produktion af mange avancerede komponenter og enheder, såsom avanceret termisk billedbehandlingsløsning, FLIR-system, hallelement og magnetresistenseffektelement, infrarødt målsøgende missilstyringssystem, meget responsiv infrarød fotodetektorsensor , højpræcisionsmagnetisk og roterende resistivitetssensor, focal planar arrays, og også tilpasset som en terahertz-strålingskilde og i infrarødt astronomisk rumteleskop osv.

Spørg nu

detaljer

Tags

Teknisk specifikation

Indium antimonid

InSb

Indium antimonid substrat(InSb Substrat, InSb Wafer) n-type eller p-type hos Western Minmetals (SC) Corporation kan tilbydes i størrelserne 1" 2" 3" og 4" (30, 50, 75 og 100 mm) diameter, orientering <111> eller <100>, og med wafer-overflade af lappede, ætsede, polerede finish Indium Antimonide Single Crystal bar (InSb Monocrystal bar) kan også leveres på forespørgsel.

Indium antimonidPolycrystalline (InSb Polycrystalline, eller multicrystal InSb) med størrelsen på uregelmæssig klump eller blank (15-40)x(40-80) mm tilpasses også efter anmodning til den perfekte løsning.

I mellemtiden er Indium Antimonide Target (InSb Target) på Dia.50-80 mm med udopet n-type også tilgængelig.

Ingen.	genstande	Standard Specifikation
1	Indium antimonid substrat	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Vækstmetode	LEC	LEC	LEC
4	Ledningsevne	P-type/Zn,Ge-doteret, N-type/Te-doteret, Udopet
5	Orientering	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Tykkelse μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientering Flad mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikation Flad mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitet cm2/Vs	1-7E5 N/udopet, 3E5-2E4 N/Te-dopet, 8-0,6E3 eller ≤8E13 P/Ge-dopet
10	Carrier Koncentration cm-3	6E13-3E14 N/udopet, 3E14-2E18 N/Te-dopet, 1E14-9E17 eller <1E14 P/Ge-dopet
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Bue μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dislokation Densitet cm-2 max	50	50	50
15	Overfladebehandling	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakning	Enkelt waferbeholder forseglet i aluminiumspose.

Ingen.	genstande	Standard Specifikation
Ingen.	genstande	Indium antimonid polykrystallinsk	Indium Antimonide Target
1	Ledningsevne	Udopet	Udopet
2	Carrier Koncentration cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilitet cm²/Vs	5-7E5	6,9-7,9E4
4	Størrelse	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Pakning	I komposit aluminiumspose, kartonkasse udenfor

Lineær formel	InSb
Molekylær vægt	236,58
Krystal struktur	Zink blanding
Udseende	Mørkegrå metalliske krystaller
Smeltepunkt	527 °C
Kogepunkt	N/A
Tæthed ved 300K	5,78 g/cm³
Energigab	0,17 eV
Indre resistivitet	4E(-3) Ω-cm
CAS nummer	1312-41-0
EF-nummer	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer er et ideelt substrat til produktion af mange avancerede komponenter og enheder, såsom avanceret termisk billedbehandlingsløsning, FLIR-system, hallelement og magnetoresistenseffektelement, infrarødt målsøgende missilstyringssystem, meget responsiv infrarød fotodetektorsensor, høj -præcisionsmagnetisk og roterende resistivitetssensor, focal planar arrays, og også tilpasset som en terahertz-strålingskilde og i infrarødt astronomisk rumteleskop osv.