Single Crystal Germanium Wafer / Ingot

Beskrivelse

Single Crystal Germanium Wafer/Ingoteller monokrystallinsk germanium er sølvgrå farve, smeltepunkt 937°C, massefylde 5,33 g/cm³.Et krystallinsk germanium er skørt og har ringe plasticitet ved stuetemperatur.Germanium med høj renhed opnås ved zoneflydende og doteret med indium og gallium eller antimon for at opnå n-type eller p-type ledningsevne, som har høj elektronmobilitet og høj hulmobilitet og kan opvarmes elektrisk til anti-dugning eller anti-isning applikationer.Single Crystal Germanium er dyrket ved hjælp af Vertical Gradient Freeze VGF-teknologi for at sikre det kemisk stabilitet, korrosionsbestandighed, god transmittans, meget højt brydningsindeks og høj grad af gitterperfektion.

Ansøgninger

Enkelt krystal germanium finder lovende og brede anvendelser, hvor elektronisk kvalitet bruges til dioder og transistorer, infrarød eller optisk kvalitet germanium blank eller vindue er til IR optiske vinduer eller diske, optiske komponenter brugt i nattesyn og termografiske billedbehandlingsløsninger til sikkerhed, fjerntemperaturmåling, brandsluknings- og industrielt overvågningsudstyr, let dopet P- og N-type Germanium-wafer kan også bruges til Hall effekt-eksperiment.Cellekvalitet er til substrater, der anvendes i III-V triple-junction solceller og til kraftkoncentrerede PV-systemer af solcelle mv.

Spørg nu

detaljer

Tags

Teknisk specifikation

Enkelt krystal germanium

Single Crystal Germanium Wafer eller Ingotmed n-type, p-type og udopet ledningsevne og orientering <100> hos Western Minmetals (SC) Corporation kan leveres i størrelser på 2, 3, 4 og 6 tommer diameter (50 mm, 75 mm, 100 mm og 150 mm) med overfladefinish af ætset eller poleret i pakke af skumboks eller kassette til wafer og i forseglet plastikpose til barre med kartonkasse udenfor, polykrystallinsk germaniumbarre fås også efter anmodning, eller som tilpasset specifikation for at opnå den perfekte løsning.

Symbol	Ge
Atom nummer	32
Atomvægt	72,63
Elementkategori	Metalloid
Gruppe, Periode, Blok	14, 4, s
Krystal struktur	Diamant
Farve	Grålig hvid
Smeltepunkt	937°C, 1211,40K
Kogepunkt	2833°C, 3106K
Tæthed ved 300K	5,323 g/cm³
Indre resistivitet	46 Ω-cm
CAS nummer	7440-56-4
EF-nummer	231-164-3

Ingen.	genstande	Standard Specifikation
1	Germanium wafer	2"	3"	4"	6"
2	Diameter mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Vækstmetode	VGF eller CZ	VGF eller CZ	VGF eller CZ	VGF eller CZ
4	Ledningsevne	P-type/doteret (Ga eller In), N-type/doteret Sb, Udopet
5	Orientering	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Tykkelse μm	145, 175, (500-1000)
7	Resistivitet Ω-cm	0,001-50	0,001-50	0,001-50	0,001-50
8	Mobilitet cm2/Vs	>200	>200	>200	>200
9	TTV μm maks	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Bue μm max	15	15	15	15
11	Warp μm max	15	15	15	15
12	Dislokation cm-2 max	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Partikelantal a/wafer max	10 (ved ≥0,5 μm)	10 (ved ≥0,5 μm)	10 (ved ≥0,5 μm)	10 (ved ≥0,5 μm)
15	Overfladebehandling	P/E, P/P eller efter behov
16	Pakning	Enkelt waferbeholder eller kassette indeni, kartonkasse udenfor

Ingen.	genstande	Standard Specifikation
1	Germanium Ingot	2"	3"	4"	6"
2	Type	P-type/doteret (Ga, In), N-type/doteret (As, Sb), Udopet
3	Resistivitet Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50	0,1-50
4	Carrier Lifetime μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Ingot Længde mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Pakning	Forseglet i plastikpose eller skumboks indeni, kartonkasse udenfor
7	Bemærkning	Polykrystallinsk germaniumbarre fås efter anmodning

Enkelt krystal germaniumfinder lovende og brede anvendelser, hvor elektronisk kvalitet bruges til dioder og transistorer, infrarød eller optisk kvalitet germanium blank eller vindue er til IR optiske vinduer eller diske, optiske komponenter brugt i nattesyn og termografiske billedbehandlingsløsninger til sikkerhed, fjerntemperaturmåling, brandsluknings- og industrielt overvågningsudstyr, let dopet P- og N-type Germanium-wafer kan også bruges til Hall effekt-eksperiment.Cellekvalitet er til substrater, der anvendes i III-V triple-junction solceller og til kraftkoncentrerede PV-systemer af solcelle mv.