Gallium Phosphide GaP

Beskrivelse

Gallium Phosphide GaP, en vigtig halvleder med unikke elektriske egenskaber som andre III-V sammensatte materialer, krystalliserer i den termodynamisk stabile kubiske ZB struktur, er et orange-gult semitransparent krystalmateriale med et indirekte båndgab på 2,26 eV (300K), som er syntetiseret fra 6N 7N højrent gallium og fosfor og dyrket til enkeltkrystal ved Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) teknik.Gallium phosphid krystal er doteret svovl eller tellur for at opnå n-type halvleder, og zink doteret som p-type ledningsevne til yderligere fremstilling til ønsket wafer, som har applikationer i optiske systemer, elektroniske og andre optoelektroniske enheder.Single Crystal GaP wafer kan forberedes Epi-Ready til din LPE, MOCVD og MBE epitaksiale applikation.Højkvalitets enkeltkrystal Gallium phosphide GaP wafer p-type, n-type eller udopet ledningsevne hos Western Minmetals (SC) Corporation kan tilbydes i størrelserne 2" og 3" (50 mm, 75 mm diameter) , orientering <100>,<111 > med overfladefinish af as-cut, poleret eller epi-ready proces.

Ansøgninger

Med lav strøm og høj effektivitet i lysemittering er Gallium phosphide GaP wafer velegnet til optiske displaysystemer som billige røde, orange og grønne lysemitterende dioder (LED'er) og baggrundsbelysning af gul og grøn LCD osv. og LED-chips, der fremstilles med lav til medium lysstyrke, GaP er også brugt bredt som det grundlæggende substrat til fremstilling af infrarøde sensorer og overvågningskameraer.

Spørg nu

detaljer

Tags

Teknisk specifikation

Gallium Phosphide GaP

Højkvalitets enkeltkrystal Gallium Phosphide GaP wafer eller substrat p-type, n-type eller udopet ledningsevne hos Western Minmetals (SC) Corporation kan tilbydes i størrelserne 2" og 3" (50 mm, 75 mm) i diameter, orientering <100> , <111> med overfladefinish som skåret, lappet, ætset, poleret, epi-ready behandlet i enkelt waferbeholder forseglet i aluminiumskompositpose eller som tilpasset specifikation til den perfekte løsning.

Ingen.	genstande	Standard Specifikation
1	GaP-størrelse	2"
2	Diameter mm	50,8 ± 0,5
3	Vækstmetode	LEC
4	Konduktivitetstype	P-type/Zn-doteret, N-type/(S, Si,Te)-doteret, Udopet
5	Orientering	<1 1 1> ± 0,5°
6	Tykkelse μm	(300-400) ± 20
7	Resistivitet Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientering Flad (OF) mm	16±1
9	Identifikation Flad (IF) mm	8±1
10	Hall Mobilitet cm2/Vs min	100
11	Carrier Koncentration cm^-3	(2-20) E17
12	Dislokation Tæthed cm^-2max	2.00E+05
13	Overfladebehandling	P/E, P/P
14	Pakning	Enkelt waferbeholder forseglet i aluminiumskompositpose, kartonkasse udenfor

Lineær formel	GaP
Molekylær vægt	100,7
Krystal struktur	Zink blanding
Udseende	Orange fast
Smeltepunkt	N/A
Kogepunkt	N/A
Tæthed ved 300K	4,14 g/cm³
Energigab	2,26 eV
Indre resistivitet	N/A
CAS nummer	12063-98-8
EF-nummer	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, med lav strømstyrke og høj effektivitet i lysemittering, er velegnet til optiske displaysystemer som billige røde, orange og grønne lysemitterende dioder (LED'er) og baggrundsbelysning af gul og grøn LCD osv. og LED-chips fremstilling med lav til medium lysstyrke, er GaP også brugt bredt som det grundlæggende substrat til fremstilling af infrarøde sensorer og overvågningskameraer.